Samsung mengalahkan rekornya sendiri dengan DRAM yang lebih cepat, mungkin ditujukan untuk Galaxy S23

Samsung membagikan pencapaian terbarunya dalam teknologi memori canggih: chip LPDDR5X Dynamic Random Access Memory (DRAM) dengan kecepatan 8,5 gigabit per detik (Gbps). Fakta ini menjadi lebih penting dengan Samsung mengkonfirmasi bahwa kecepatan dipertahankan pada platform seluler Snapdragon.

Chip DRAM seluler baru Samsung adalah yang tercepat di industri dengan kecepatan 8,5 Gbps

Melalui keahlian teknis yang luar biasa, Samsung telah berhasil lebih meningkatkan kecepatan komunikasi komponen – yaitu, prosesor aplikasi dan memori – yang justru memungkinkan lompatan kecepatan. Meskipun peningkatannya mungkin tampak tidak signifikan, lompatan 1,0 Gbps adalah prestasi luar biasa untuk pasar ponsel. Ini akan memungkinkan pembuatan perangkat yang lebih cepat dan lebih mampu, dengan peningkatan kemampuan 5G dan lebih banyak peluang untuk pekerjaan yang dibantu AI.

Chip baru ini 1,3 kali lebih cepat dari generasi sebelumnya dan memiliki efisiensi daya 20% lebih baik

Chip Samsung terbaru dan tercepat dikonfirmasi untuk bekerja pada platform seluler Snapdragon

Karena kecepatan chip terbaru telah dicapai pada chipset Snapdragon, aman untuk mengasumsikan bahwa kita akan melihat lebih banyak kemitraan ini dengan seri Galaxy S23 yang diharapkan, yang akan diluncurkan awal tahun depan. Galaxy S22 tahun ini, yang dapat Anda baca lebih lanjut di kami Review Galaxy S22, terkesan dengan performanya. Dengan apa yang telah ditunjukkan dari chip seluler LPDDRX5 terbaru, kita mungkin dapat mengharapkan dampak positif pada masa pakai baterai dan peningkatan kemampuan multitasking pada S23.

Satu hal yang jelas: dampak pada kinerja aktual tentu akan bergantung pada keseluruhan komponen perangkat tertentu. Prospek sejauh ini bagus untuk seri Galaxy S23 yang akan datang, tetapi kita harus menunggu lembar spesifikasi lengkap untuk membuat taruhan yang aman.